삼성전자가 개발한 대용량 데이터 저장장치인 `10나노미터 공정 2Bit/3Bit 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시`가 2013년 제37주차 IR52 장영실상을 수상했다.

낸드플래시란 노트북, 휴대폰 등의 휴대기기나 SSD(하드디스크를 대체하는 최신 보조기억장치)에 사용되는 메모리 반도체로, 전원이 꺼져도 정보를 계속 저장하고 자유롭게 삭제할 수 있는 것이 특징이다. 이 중에서도 MLC는 메모리 기본 단위인 하나의 셀에 비트 정보를 두 개(2bit) 혹은 세 개(3bit)를 담는 기술이다.

최근 스마트폰이나 SSD가 일상생활에서 자주 사용되면서 낸드플래시도 고성능ㆍ저전력 제품 개발이 요구돼 왔다.

삼성전자는 반도체 회로 폭 굵기가 10nm(나노미터ㆍ1nm는 10억 분의 1ｍ) 후반대의 공정을 사용해 플래시 메모리를 양산하는 데 세계 처음으로 성공했다. 회로 선폭이 미세해지면 셀 간의 간섭 현상이 기하급수적으로 증가하는데 이 간섭 현상을 극복하는 기술을 개발해 문제를 해결한 것이다.

한진만 삼성전자 상무(연구임원)는 "플래시 메모리가 쓰기 동작을 할 때 주위의 환경을 인식해서 세기를 조정할 수 있도록 했다"며 "기존 방식을 완전히 버리고 파괴적인 재구성을 한 것이 성공의 요인"이라고 설명했다.

이 제품은 전 세대(21nm 공정) 낸드플래시에 비해 생산성은 30~40% 향상됐으며 메모리 처리 속도는 400Mbps에서 533Mbps로 33% 이상 끌어올렸다. 즉 같은 크기의 반도체 칩으로 더 많은 정보를 저장하고 동영상 등 정보를 더 빨리 처리할 수 있게 된 것이다. 또한 소비전력도 30% 정도 감소했다.

삼성전자는 이번 제품 개발로 올해 매출 2조2500억원을 달성할 것으로 예상하고 있다. 한 상무는 "기존 낸드플래시 시장을 대체하고 고성능 SSD 등에 사용되면 2013~2015년 사이 전 세계 낸드플래시 시장 규모는 약 27조~29조원이 될 것으로 추산된다"며 "내년에는 7조2600억원의 매출을 기대하고 있다"고 밝혔다.

■주최 : 매일경제신문사 한국산업기술진흥협회

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