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▶31 주차 수상제품
- 삼성전자
- QLC V-NAND (메모리)
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- 2021 년 31 주차 장영실상 수상제품
  
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  삼성전자
  QLC V-NAND (메모리)
  
  회사명 : 삼성전자
  
  대표자 : 김기남
  
  제품명 : QLC V-NAND (메모리)
  
  모델명 : Samsung 870 QVO
  
  개발기술명 : 1Tb QLC V-NAND memory
  
  선정분야 : 전기.전자
제품소개

용도 및 기능

QLC V-NAND는 세계 최고 수준의 고밀도 공정 집적화 기술 및 초정밀 설계 산포/성능 제어 기술이 집약된 최첨단 메모리 제품입니다. 통상 V-NAND는 1개의 메모리 셀에 2개 또는 3개의 비트를 저장하는 데 반해 QLC V-NAND는 4개의 비트를 저장할 수 있어서 동일 면적, 가격 기준으로 33% 증가한 저장 용량을 제공하며, 일반 소비자용 SSD(Solid State Disk) 뿐 아니라, UFS(Universal Flash Storage) Card 및 기업용 SSD까지 폭넓은 용도로 활용이 가능합니다.

차별적 특징

당사의 QLC 제품에는 타 경쟁사 대비 1세대 이상 앞선 공정 및 설계 기술이 적용되었습니다. 이를 통해 셀의 신뢰성 스펙을 만족시키는 동시에 세계 최고 성능을 갖는 QLC 제품을 개발하였습니다. 구체적으로 Read 성능 지표인 tR(Read에 소요되는 시간)과 Program 성능 지표인 tPROG(Program에 소요되는 시간)을 각각 110μs, 2ms를 달성해 경쟁사 대비 Read 성능은 최대 20%, Program 성능은 최대 30% 가량 우위를 점하게 되었습니다. 특히, 타 경쟁사의 QLC 제품은 성능이나 신뢰성 부족 혹은 큰 면적으로 인해 한정된 응용에만 적용될 수 있는 반면, 당사의 앞선 기술을 통해 개발된 QLC 제품은 서버, PC, 모바일 등 모든 응용에 적용이 가능한 전천후 제품이어서 특성 뿐 아니라 시장 경쟁력 또한 월등한 점을 자부할 수 있습니다.

담당부서

삼성전자 DS부문 기획팀(03180964656)
수상자
- 김형곤 수석
- 이재덕 마스터
- 박영호 수석
- 박세준 수석

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