▲왼쪽부터 삼성전자 백철호 연구원, 손교민 마스터, 천기철 연구원, 김구영 연구원.

삼성전자가 개발한 `광대역폭 메모리 플래시볼트(HBM2E Flashbolt TM)`가 올해 주간 단위 장영실상 시상으로는 마지막인 52주차 iR52 장영실상을 수상했다. 메모리 플래시볼트는 슈퍼컴퓨터 연산을 위한 고성능·대용량 메모리 D램(반도체 기억소자)이다. 삼성전자는 "기존 제품보다 더 많은 용량과 더 높은 속도를 원하는 고객사들 요청을 충족시키기 위해 개발에 들어가 성공했다"며 "인공지능(AI) 가속기가 필요로 하는 성능을 만족시킬 수 있는 유일한 메모리 제품"이라고 강조했다. 이 제품은 국제반도체 표준화 기구에서 표준화를 진행하고 있는 고성능 그래픽 D램(GDDR6)과 비교했을 때도 월등한 성능을 자랑한다. 면적은 고성능 그래픽 D램의 절반 수준이지만 용량은 4배가량 크고, 초당 2.8배 많은 데이터를 처리할 수 있다. 전력도 기존 제품에 비해 3분의 1가량 덜 들어간다. 세계 최초로 개발한 12단 적층 기술이 적용된 덕분이다. 머리카락 20분의 1 이하 수준 굵기인 실리콘관통전극(TSV) 6만개를 연결하는 3D-TSV 첨단 패키징 기술을 적용했다. 공정을 마친 복수의 칩을 위로 얇게 쌓아올려 하나의 반도체로 구성해 전체 면적은 줄어들고 용량은 크게 늘어난 메모리 구현이 가능했다는 게 삼성전자 측 설명이다. 삼성전자는 "광대역폭 메모리 플래시볼트 D램 주요 거래처는 미국·중국·일본 슈퍼컴퓨터, 딥러닝 AI 응용, 고성능 그래픽 시스템, 5G 등 네트워크 서비스 업체"라며 "2024년까지 5년간 2조4000억원 규모 수출을 기대하고 있다"고 전했다. 

삼성전자 연구팀은 "AI 발전뿐 아니라 5G를 위한 고속 네트워크 서버와 슈퍼컴퓨터에 이르기까지 광대역폭 메모리 플래시볼트 활용도가 무궁무진하고, 용량과 성능에 대한 요구 사항이 계속 높아지고 있다"며 "용량 관점에서는 16단 적층 제품까지 개발하고, 성능 관점에서도 현재 4.2Gbps보다 월등히 높은 6.4Gbps 이상의 제품을 개발할 것"이라고 말했다.